图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235BLT3由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235BLT3价格参考。ON SemiconductorMMBZ5235BLT3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5235BLT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5235BLT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5235BLT3 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为6.8 V(容差±5%),额定功率为200 mW(SOT-23封装),最大测试电流为20 mA。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能手环、传感器节点)中为ADC参考源、比较器阈值或MCU复位电路提供稳定基准电压。 2. 过压保护(OVP)与ESD钳位:凭借快速响应和低动态阻抗,常用于USB接口、I²C/SPI总线、按键输入等信号线的瞬态电压抑制(配合TVS或作为辅助钳位),防止静电放电(IEC 61000-4-2 Level 2/3)或感应浪涌损坏后级IC。 3. 电源轨箝位与反馈调节:在低压LDO或DC-DC转换器的反馈分压网络中,替代电阻分压以提升温度稳定性;或用于电池供电系统中对3.3 V/5 V逻辑轨进行精密箝位。 4. 低成本模拟电路偏置:在运算放大器偏置、LED恒流驱动基准、温度补偿电路中提供简单可靠的偏置电压。 该器件具备良好的热稳定性、小体积(SOT-23)、符合AEC-Q200(部分批次)及RoHS标准,广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子(非安全关键模块)及物联网终端。注意:不可用于高能量浪涌主防护,需结合限流电阻使用以确保功耗不超200 mW。