Datasheet下载- 型号： MMBZ5234ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5234ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5234ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5234ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5234ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5234ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5234ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为6.2 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为200 mW（SOT-23封装），反向漏电流低，响应快。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：在低压模拟电路、ADC/DAC参考源或电源监控电路中提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入端（如MCU GPIO、传感器接口）的瞬态电压钳位，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源稳压：在小电流负载（≤10 mA）场合（如待机电源、偏置电路、LED驱动恒流源反馈环）中实现简易稳压； 4. 信号电平钳位：在通信接口（如I²C、UART）中限制信号摆幅，确保电平兼容并增强抗干扰能力； 5. 电池电压监测：配合分压电阻用于锂离子电池（单节3.7 V标称）或6 V系统中的欠压/过压检测阈值设定。 该器件因体积小（SOT-23）、成本低、可靠性高，广泛应用于消费电子（手机周边、TWS耳机）、工业传感器模块、汽车电子（车身控制模块低压辅助电路）及IoT终端设备中。需注意：不适用于大电流稳压场景，设计时应校核功耗（P = Vz × Iz）并留足裕量，避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5234ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5234ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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