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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5232BS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5232BS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5232BS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5232BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5232BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5232BS-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)出品的一款齐纳二极管阵列(双通道、共阴极结构),标称稳压值为5.1 V(典型),容差±5%,最大功率耗散为200 mW(每通道)。其主要应用场景包括: 1. 电压钳位与过压保护:常用于I/O接口、传感器信号线或通信线路(如UART、I²C)中,抑制瞬态电压尖峰(如ESD、EFT),防止后级MCU或模拟器件受损。 2. 低功耗基准电压源:在便携式设备(如手持仪表、电池供电传感器节点)中,为ADC参考、比较器阈值或偏置电路提供稳定、低成本的5.1 V基准(需配合限流电阻使用)。 3. 多路电压箝位集成方案:因采用SOT-363(SC-70)封装并内置双管共阴极结构,适合空间受限设计,可同时保护两路信号(如差分对、双通道模拟输入),简化PCB布局与BOM。 4. 电源轨监控与稳压辅助:配合LDO或DC-DC使用,在负载突变时吸收反向电流或稳定局部节点电压,提升系统可靠性。 注意:该器件非高精度基准(温度系数约−2.5 mV/°C),不适用于精密测量;工作电流建议控制在1–20 mA以兼顾稳定性与功耗。实际应用中需严格遵循TI官方数据手册中的热降额与SOA限制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 5.6V SOT363稳压二极管 5.6V 200mW |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5232BS-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5232BS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMBZ5232BS-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 11 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5232B |
| 配置 | Dual Anti Parallel |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 11 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.6 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |