Datasheet下载- 型号： MMBZ5231ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5231ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5231ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5231ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5231ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5231ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5231ELT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单齐纳二极管。其主要应用场景包括： 1. 电压稳压：MMBZ5231ELT1G 可用于电路中的电压稳压，确保负载电压稳定。它通过反向击穿特性，在特定的齐纳电压下提供稳定的参考电压，适用于低功耗设备。 2. 过压保护：该器件能够保护敏感电路免受瞬时过压的影响。例如，在电源输入端或信号线上使用齐纳二极管钳位过高电压，防止损坏下游组件。 3. 信号电平转换：在模拟和数字电路中，齐纳二极管可用于将信号电平限制在安全范围内，确保信号完整性并避免过载。 4. 基准电压源：由于其稳定的齐纳电压特性，MMBZ5231ELT1G 可作为简单的基准电压源，为比较器、运算放大器等电路提供参考电压。 5. 电源监控：在电池供电系统中，齐纳二极管可用于检测电池电压是否低于或高于设定阈值，从而触发相应的保护机制。 6. ESD 保护：虽然 MMBZ5231ELT1G 不是专门设计用于 ESD 防护，但在某些情况下，它可以与其他保护元件配合，减少静电放电对电路的影响。 该器件具有小尺寸 SOD-123 封装，适合空间受限的应用环境，同时具备良好的热性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3稳压二极管 5.1V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5231ELT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5231ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5231ELT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 17 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5231E |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 17 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.1 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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