| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5231BW-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5231BW-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5231BW-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5231BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5231BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5231BW-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号齐纳二极管(单管),标称稳压值为5.1V(容差±5%),额定功率为200mW,采用SOT-323(SC-70)超小型表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗便携设备(如TWS耳机、智能手表、传感器节点)中,为MCU、ADC或参考电路提供低成本、紧凑型5.1V基准电压。 2. 过压保护(OVP):常与TVS或串联限流电阻配合,用于USB接口、电池管理IC输入端或I/O引脚的瞬态电压钳位,防止5V系统因浪涌或反接受损。 3. 电平转换与箝位:在逻辑电平适配(如3.3V MCU与5V外设通信)中,用作信号线箝位二极管,限制高电平至约5.1V,避免器件过压。 4. 电源监控与复位电路:配合电阻分压及比较器,构成简易电源上电检测/复位电路,确保系统在5V电源稳定后可靠启动。 该器件具有低漏电流(≤5μA @ 3.8V)、快速响应及优良温度稳定性(TC ≈ ±0.05%/°C),适用于空间受限、成本敏感且无需高精度稳压的消费电子与工业控制场景。注意:不适用于大电流稳压,设计时需严格限制工作电流(典型测试电流20mA),并考虑功耗与热降额。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 200MW SOT323稳压二极管 5.1V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5231BW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5231BW-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5231BW-FDICT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 17 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5231B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 17 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.1 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |