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产品简介:
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MMBZ5231B-HE3-18 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款小信号齐纳二极管,标称稳压值为5.1 V(容差±5%),额定功率为300 mW,采用SOT-23表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中为传感器、ADC参考源或MCU复位电路提供稳定基准电压。 2. 过压保护(箝位/ESD防护):常与TVS或串联限流电阻配合,用于I/O端口(如USB、GPIO、按键接口)的瞬态电压抑制,吸收ESD脉冲(IEC 61000-4-2 Level 4)或感应浪涌。 3. 电源轨监控与调节:在低压系统(如3.3 V或5 V供电)中,为LDO反馈网络或电压检测电路提供精确钳位点,辅助实现欠压锁定(UVLO)或复位功能。 4. 精密模拟电路偏置:在低噪声运放、电流源或DAC外围电路中,提供温度稳定性较好(典型TC ≈ ±0.02%/°C)、低动态阻抗(Zzt ≈ 17 Ω)的偏置电压。 该器件具有低泄漏电流(IR ≤ 5 µA @ 3.8 V)、快速响应及高可靠性,符合AEC-Q200(汽车级)和无卤素标准,亦可用于工业控制、医疗电子及通信模块等对尺寸与稳定性要求较高的场合。需注意合理设计散热与限流电阻,避免持续功耗超限。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5231B-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |