Datasheet下载- 型号： MMBZ5229ELT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5229ELT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5229ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5229ELT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5229ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5229ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5229ELT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.6 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为300 mW（在Tₐ=25°C下），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC偏置电路）提供稳定、低成本的3.6 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口ESD防护电路）的输入电压，防止瞬态过压损坏； 3. 电源轨箝位：在3.3 V系统中用于稳压或噪声抑制，辅助LDO或DC-DC输出的电压精度与稳定性； 4. ESD/浪涌防护前端：作为一级或二级防护器件，吸收静电放电能量（IEC 61000-4-2 Level 2~3），常与TVS或RC滤波协同使用； 5. 电池供电设备电压监测：在便携式设备中实现简易电池电压检测（如3.6 V锂离子电池满电状态指示）。 该器件具有低动态阻抗（约17 Ω）、快速响应（纳秒级）及宽工作温度范围（–65°C 至 +150°C），适用于消费电子、工业控制、汽车电子（AEC-Q200认证版本可选）及物联网终端等对尺寸、成本和可靠性有要求的场景。需注意：设计时应合理计算功耗（避免超过额定功率），并确保散热条件满足长期可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5229ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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