Datasheet下载- 型号： MMBZ5229ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5229ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5229ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5229ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5229ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5229ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5229ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为4.3 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为225 mW（SOT-23封装），最大反向电流（IZT）为20 mA，动态阻抗低（典型值约20 Ω），具有良好的温度稳定性和快速响应特性。 其典型应用场景包括： 1. 低压电源稳压与参考：在便携式设备（如蓝牙耳机、智能手环、IoT传感器节点）中为MCU、ADC或基准电路提供4.3 V精密参考电压； 2. 过压保护（OVP）与钳位：配合TVS或限流电阻，用于USB接口、I²C/SPI信号线或电池供电系统的ESD防护与瞬态电压钳位，防止后级芯片（如LDO、运放）因浪涌受损； 3. 电压检测与阈值设定：在电池电量监测电路中作为4.3 V欠压/过压比较器的基准源，适用于锂离子电池（满电约4.2–4.35 V）的充电管理或关机保护； 4. 低成本稳压替代方案：在对精度要求不苛刻、空间受限的消费类电子中，替代小型LDO用于非关键模拟电路供电（如LED驱动偏置、传感器偏置网络）。 该器件采用SOT-23贴片封装，体积小、成本低、可靠性高，符合AEC-Q200（部分批次），亦可用于汽车电子中的车身控制模块等非安全关键应用。注意设计时需校核功耗（P = VZ × IZ），避免超温降额使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5229ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5229ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
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