Datasheet下载- 型号： MMBZ5229BW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5229BW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5229BW-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5229BW-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5229BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5229BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5229BW-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为4.3 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为200 mW，采用SOT-323（SC-70）超小型封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压精密稳压与参考：适用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中为传感器、ADC基准源或低压LDO反馈网络提供稳定参考电压。 2. 过压保护与ESD钳位：内置双芯片结构（共阴极双齐纳），可双向钳位瞬态电压，常用于USB、I²C、GPIO等低速信号线的静电放电（ESD）防护（符合IEC 61000-4-2 Level 4），配合TVS协同增强系统鲁棒性。 3. 电源轨箝位与电压限制：在3.3 V或5 V供电系统中，防止MCU/逻辑器件输入端因反向电压、串扰或上电时序异常导致的过压损坏。 4. 电池供电设备的电压监测：配合分压电阻与比较器，实现简易电池欠压检测（如4.3 V阈值触发告警或关机）。 该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性及AEC-Q200认证（部分批次），亦可用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）辅助电路。其微型封装适配高密度PCB设计，但需注意PCB热设计以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOT323稳压二极管 200MW 4.3V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5229BW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5229BW-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5229BW-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 22 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5229B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.3 V |
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