Datasheet下载- 型号： MMBZ5227ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5227ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5227ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5227ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5227ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5227ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5227ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.3 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为225 mW（SOT-23封装），反向漏电流低，响应快。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压、小电流电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定3.3 V基准电压； 2. 过压保护（Clamping）：并联于敏感信号线（如通信接口UART、I²C、USB数据线）或电源输入端，钳位瞬态浪涌（如ESD、感应噪声），防止器件损坏； 3. 电平转换与偏置电路：配合电阻构成简易电平移位器，或为晶体管/运放提供固定偏置电压； 4. 电源监控与复位电路：用于低压检测电路，当供电跌落至3.3 V以下时触发系统复位； 5. 消费电子与便携设备：因SOT-23小型封装及低功耗特性，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网模块等空间受限场景。 需注意：该器件适用于≤20 mA的稳压电流场合，不建议用于大电流稳压电源主路；设计时应结合限流电阻确保功耗在额定范围内，并考虑温度对稳压精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5227ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 15µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 24 欧姆 |
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