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  • 型号: MMBZ5226BLT1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226BLT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5226BLT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5226BLT1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 MMBZ5226 系列。这款齐纳二极管具有以下特性:额定电压为 4.7V,功率耗散为 500mW,采用 SOD-123 封装形式。其主要应用场景包括:

1. 电压稳压:  
   MMBZ5226BLT1 常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 4.7V 左右,适用于对电压稳定性要求较高的场景,如传感器供电或低功耗设备。

2. 过电压保护:  
   在电子设备中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出端的过电压损坏敏感元件。例如,在 USB 接口或其他信号线中,它可以限制电压不超过 4.7V,从而保护后续电路。

3. 信号电平转换:  
   在信号处理电路中,MMBZ5226BLT1 可用于将输入信号的幅值限制在一个特定范围内,确保信号不会超出系统的工作电压范围。

4. 基准电压源:  
   由于其稳定的齐纳击穿电压特性,该二极管可以用作精密基准电压源,为 ADC、DAC 或其他模拟电路提供参考电压。

5. 浪涌抑制:  
   在瞬态电压抑制应用中,MMBZ5226BLT1 能够吸收短时间内的高电压脉冲,保护电路免受雷击或开关瞬变的影响。

6. 音频和射频电路中的偏置控制:  
   在音频放大器或射频模块中,该齐纳二极管可用于生成偏置电压,以确保晶体管或其他有源器件工作在正确的区域。

总之,MMBZ5226BLT1 的小尺寸和高效能使其非常适合便携式设备、消费电子产品、工业控制以及通信设备中的各种稳压和保护应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5226BLT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

25µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBZ5226BLT1OSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

10

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

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