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产品简介:
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MMBZ5226BLT1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 MMBZ5226 系列。这款齐纳二极管具有以下特性:额定电压为 4.7V,功率耗散为 500mW,采用 SOD-123 封装形式。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: MMBZ5226BLT1 常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 4.7V 左右,适用于对电压稳定性要求较高的场景,如传感器供电或低功耗设备。 2. 过电压保护: 在电子设备中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出端的过电压损坏敏感元件。例如,在 USB 接口或其他信号线中,它可以限制电压不超过 4.7V,从而保护后续电路。 3. 信号电平转换: 在信号处理电路中,MMBZ5226BLT1 可用于将输入信号的幅值限制在一个特定范围内,确保信号不会超出系统的工作电压范围。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳击穿电压特性,该二极管可以用作精密基准电压源,为 ADC、DAC 或其他模拟电路提供参考电压。 5. 浪涌抑制: 在瞬态电压抑制应用中,MMBZ5226BLT1 能够吸收短时间内的高电压脉冲,保护电路免受雷击或开关瞬变的影响。 6. 音频和射频电路中的偏置控制: 在音频放大器或射频模块中,该齐纳二极管可用于生成偏置电压,以确保晶体管或其他有源器件工作在正确的区域。 总之,MMBZ5226BLT1 的小尺寸和高效能使其非常适合便携式设备、消费电子产品、工业控制以及通信设备中的各种稳压和保护应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMBZ5226BLT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5226BLT1OSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 10 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |