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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5225C-E3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5225C-E3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5225C-E3-08价格参考。VishayMMBZ5225C-E3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5225C-E3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5225C-E3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5225C-E3-08 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为3.0 V（容差±5%），功率额定值为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压稳压与参考：为3.3 V或3.0 V系统（如MCU、传感器、ADC基准源）提供低成本、小尺寸的电压基准或稳压节点，尤其适用于电流较小（≤20 mA）的局部稳压需求。 2. 过压保护（钳位）：在信号线（如I²C、UART、GPIO）或电源输入端并联使用，限制瞬态电压（如ESD或浪涌）至3.0 V附近，配合TVS或限流电阻保护后级IC。 3. 电平转换与偏置电路：用于构建简单电平移位器或为模拟电路（如运放偏置、LED恒流源反馈节点）提供稳定偏置电压。 4. 消费电子与便携设备：因SOT-23封装尺寸小、功耗低，广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等空间受限场景中的电源管理与接口保护模块。 注意：该器件非低动态阻抗精密基准，不适用于高精度/高负载稳压场合；实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz）及温度漂移影响（典型TC ≈ +2 mV/°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5225C-E3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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