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  • 型号: MMBZ5225BTS-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5225BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5225BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5225BTS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5225BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5225BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5225BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),内含两个独立的 3.0V 齐纳稳压管(典型标称电压为 3.0V,容差 ±5%),共阴极结构。其典型应用场景包括:

1. 低电压精密稳压与参考:适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中为传感器、ADC基准或低压逻辑电路提供稳定3V参考电压。

2. ESD保护与过压钳位:凭借低钳位电压和快速响应特性,常用于USB接口、I²C/SPI总线、按键输入等信号线的双向静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4)防护,有效抑制瞬态干扰。

3. 电源轨箝位与浪涌抑制:在3.3V或兼容3V系统中,用于LDO输出端或MCU I/O口前级,防止反向电压、开关噪声或热插拔引起的过压损伤。

4. 双路冗余保护/匹配箝位:因两颗齐纳管参数高度一致(匹配性好),适合需对称保护的差分信号(如模拟前端、运放输入)或需要双通道独立保护的紧凑设计。

该器件具有低动态阻抗(约17Ω)、低漏电流(≤1μA @ 1V)、小尺寸(SOT-363)及AEC-Q200认证选项(部分版本),广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子(如车身控制模块)中的高可靠性、空间受限场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER TRIPLE 3V SOT363

产品分类

二极管/齐纳阵列

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MMBZ5225BTS-7-F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-363

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3V

配置

3 个独立式

阻抗(最大值)(Zzt)

30 欧姆

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