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产品简介:
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MMBZ5225BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),内含两个独立的 3.0V 齐纳稳压管(典型标称电压为 3.0V,容差 ±5%),共阴极结构。其典型应用场景包括: 1. 低电压精密稳压与参考:适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中为传感器、ADC基准或低压逻辑电路提供稳定3V参考电压。 2. ESD保护与过压钳位:凭借低钳位电压和快速响应特性,常用于USB接口、I²C/SPI总线、按键输入等信号线的双向静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4)防护,有效抑制瞬态干扰。 3. 电源轨箝位与浪涌抑制:在3.3V或兼容3V系统中,用于LDO输出端或MCU I/O口前级,防止反向电压、开关噪声或热插拔引起的过压损伤。 4. 双路冗余保护/匹配箝位:因两颗齐纳管参数高度一致(匹配性好),适合需对称保护的差分信号(如模拟前端、运放输入)或需要双通道独立保护的紧凑设计。 该器件具有低动态阻抗(约17Ω)、低漏电流(≤1μA @ 1V)、小尺寸(SOT-363)及AEC-Q200认证选项(部分版本),广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子(如车身控制模块)中的高可靠性、空间受限场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 3V SOT363 |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5225BTS-7-F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3V |
| 配置 | 3 个独立式 |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 30 欧姆 |