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  • 型号: MMBZ5225BT-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5225BT-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5225BT-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5225BT-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5225BT-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5225BT-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5225BT-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号齐纳二极管(单管),标称稳压值为3.0V(容差±5%),额定功率为200mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括:

1. 低电压稳压与基准源:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能手表、TWS充电仓)中为LDO、ADC参考电压或MCU复位电路提供稳定3.0V基准,尤其在空间受限且功耗敏感的场合。

2. 过压保护(OVP)与ESD钳位:常与TVS或串联限流电阻配合,用于USB接口、I²C/SPI总线、传感器信号线等低压数字接口的瞬态电压抑制和静电防护(IEC 61000-4-2 Level 2/3)。

3. 电源轨箝位与电平转换辅助:在3.3V或更低系统中,用于限制IO电压不超过3.0V,防止后级器件(如部分低耐压MCU或传感器)因意外过压而损坏。

4. 电池电压监测指示:在纽扣电池(如CR2032)供电设备中,结合分压电阻构成简易欠压检测电路,当电池电压跌至约3.0V时触发告警或关机。

该器件具备低动态阻抗(典型15Ω)、快速响应(ns级)及AEC-Q200认证(工业/汽车级版本可选),广泛应用于消费电子、工业控制及车载信息娱乐系统的辅助电源管理环节。注意设计时需校核功耗(P = Vz × Iz),避免长期超200mW导致热失效。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3V 150MW SOT523

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5225BT-7-F

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-523

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

SOT-523

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3V

阻抗(最大值)(Zzt)

30 欧姆

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