Datasheet下载- 型号： MMBZ5223B-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5223B-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5223B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5223B-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5223B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5223B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5223B-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）出品的一款小型表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为3.0 V（容差±5%），额定功率为250 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 低电压稳压与基准源：在便携式设备（如TWS耳机、智能手表、传感器节点）中为低功耗MCU、ADC或运放提供3.0 V参考电压或局部稳压。 2. 过压保护与ESD钳位：常用于I/O端口或模拟信号输入前端，配合TVS或限流电阻，将瞬态电压钳位在3.0 V附近，防止后级电路（如GPIO、ADC引脚）因静电或浪涌受损。 3. 电源轨箝位与电压限制：在3.3 V系统中，可将信号或电源波动限制在安全范围（如防止电池反接或LDO输出异常导致电压超限）。 4. 低成本反馈/检测电路：用于简易电压检测（如电池欠压指示）、LED电流限幅、或与分压电阻配合实现阈值比较功能。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高可靠性，适合空间受限、成本敏感的消费电子与工业控制终端。需注意其功率限制，避免持续大电流工作；设计时应校核功耗（P = Vz × Iz），并留足裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 350MW SOT23-3稳压二极管 350MW 2.7V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5223B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5223B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 75µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5223B-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 75 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5223B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
| 齐纳电压 | 2.7 V |
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