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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ33VALT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ33VALT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ33VALT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ33VALT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ33VALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ33VALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ33VALT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为33V（VRWM=28.5V，VBR=31.35–34.65V），峰值脉冲功率达200W（10/1000μs波形），响应时间小于1ns，具备优异的ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 Level 4：±15kV接触放电/±30kV空气放电）。 典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-232、RS-485、CAN总线、USB 2.0端口等信号线的瞬态浪涌与ESD防护； - 电源输入端防护：低压直流供电线路（如12V/24V系统）中防止雷击感应、开关噪声或负载突变引起的电压尖峰； - 消费电子与工业控制板卡：为微控制器I/O口、传感器接口（如I²C、SPI）、按键/LED驱动线路提供末端钳位保护； - 汽车电子辅助系统：适用于非安全关键的车载信息娱乐（IVI）、车身控制模块（BCM）中低速信号线的ESD加固（符合AEC-Q200认证，具备汽车级可靠性）。 该器件采用SOT-23封装，体积小、贴装便捷，适合高密度PCB设计。需注意：其额定反向关断电压（28.5V）应略高于被保护线路正常工作电压，避免误导通；建议配合串联限流电阻使用以提升整体防护鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ33VALT3G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 31.35V |
| 电压-反向关态（典型值） | 26V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 46V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 870mA |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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