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- 型号： MMBZ33VALT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ33VALT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ33VALT3价格参考。ON SemiconductorMMBZ33VALT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ33VALT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ33VALT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ33VALT3 是安森美（ON Semiconductor）推出的双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为33V（最小31.4V，最大34.7V），峰值脉冲功率达200W（1ms波形），响应时间小于1ns，封装为小型SOT-23（3引脚），适合高密度PCB布局。 典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-232、RS-485、CAN总线、USB端口等，防止雷击感应或热插拔引起的浪涌； - 工业控制设备：PLC输入/输出模块、传感器信号线（如4–20mA环路）的前端ESD及EFT（电快速瞬变）防护； - 消费电子：智能手机、平板电脑中电池管理IC、电源轨（如3.3V/5V系统）或I²C/SPI总线的端口级防护； - 汽车电子：车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）中低速信号线（非CAN-FD或LIN主干线）的二级ESD防护（需配合前端滤波）； - 电源输入端辅助保护：与TVS阵列或压敏电阻协同使用，提升DC-DC转换器、LDO输入端的抗扰能力。 注意：该器件为双向结构，适用于交流或双向信号路径；不推荐单独用于高压浪涌（如AC电源入口），应配合保险丝、压敏电阻等构成分级防护。设计时需确保钳位电压低于被保护IC的最大耐压，并校验PCB走线寄生电感对响应性能的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ33VALT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 31.35V |
| 电压-反向关态（典型值） | 26V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 46V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 870mA |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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