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- 型号： MMBZ20VALT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ20VALT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ20VALT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ20VALT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ20VALT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ20VALT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ20VALT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为20V（VBR：18.9–21.1V），钳位电压低（IPP=1A时约33V），响应时间小于1ns，封装为小型SOT-23，适合高密度PCB布局。 典型应用场景包括： ✅ 通信接口保护：如USB 2.0、RS-232/485、CAN总线等端口，防止雷击感应、热插拔浪涌及ESD（±15kV接触放电/±25kV空气放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4）。 ✅ 便携式电子设备：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于保护电池管理IC、音频接口、按键及传感器信号线免受ESD冲击。 ✅ 工业控制与汽车电子：在车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）中，为LIN总线、仪表盘背光驱动或低压传感器供电线路提供二级过压防护（配合前端保险丝或PTC使用）。 ✅ 电源输入端辅助防护：常与MOV或GDT配合用于DC输入（如12V/24V系统）的后级精细保护，吸收开关噪声、感性负载关断产生的尖峰。 注意：该器件为双向TVS，适用于交流或双向信号线；不可替代稳压二极管作常规稳压；需确保工作电压（VRWM ≤ 17V）低于正常信号摆幅，避免误导通。设计时应合理布线（短而宽路径、就近接地），并配合0.1μF陶瓷电容提升高频ESD抑制效果。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ20VALT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ20VALT1OSCT |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q2026231/ZENESDA-KIT-ND/700368 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-击穿（最小值） | 19V |
| 电压-反向关态（典型值） | 17V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 28V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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