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- 型号： MMBV2109LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2109LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2109LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV2109LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2109LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2109LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV2109LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低结电容（典型值约2.9 pF @ 4 V）、高Q值及优良的电容可调比（C₄V/C₂₀V ≈ 3.5），适用于高频、小信号调谐场景。 其典型应用场景包括： 1. 高频压控振荡器（VCO）：作为调谐元件，配合PLL电路实现频率合成，广泛用于无线通信模块（如蓝牙、Zigbee、ISM频段收发器）中的本地振荡源； 2. 自动频率控制（AFC）与调谐回路：在射频前端中动态补偿温度或器件漂移，稳定接收机/发射机工作频率； 3. 电子调谐滤波器：用于可编程带通/带阻滤波器，实现信道选择或干扰抑制； 4. FM调制与相位调制电路：利用电压-电容特性实现小信号调制功能； 5. 小型化射频模块：得益于SOT-23微型封装和低寄生参数，适用于空间受限的便携设备（如智能穿戴、IoT传感器节点、遥控器等）。 该器件不适用于大功率或高电流场合，设计时需注意反向偏置电压范围（0–20 V）、避免正向导通，并配合低噪声偏置网络以保障调谐线性度与相位噪声性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2109LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 200 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 36.3pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV2109LT1GOS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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