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- 型号： MMBV2109LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2109LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2109LT1价格参考。ON SemiconductorMMBV2109LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2109LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2109LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV2109LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低结电容（典型值约2.9 pF @ 4 V）、高Q值及良好电容可调性（Cj随反向电压变化，调谐范围约2.5–10 pF），适用于高频、小尺寸、低功耗场景。 主要应用场景包括： 1. 高频压控振荡器（VCO）：作为调谐元件，配合LC谐振回路实现频率精确调节，广泛用于无线通信模块（如蓝牙、Zigbee、ISM频段收发器）中的本地振荡信号生成； 2. 自动频率控制（AFC）与锁相环（PLL）电路：在射频前端中动态补偿温度/老化引起的频率漂移，提升系统稳定性； 3. 电子调谐滤波器与匹配网络：用于天线调谐、阻抗匹配（如手机多频段天线的动态调谐），提升接收灵敏度与发射效率； 4. FM调制与高频信号合成：在简易调频发射或测试设备中实现电压控制的频率偏移。 其SOT-23封装和低寄生参数（如串联电阻Rs ≈ 1.5 Ω）使其特别适合2.4 GHz及以上频段（如Wi-Fi 2.4G、Sub-GHz IoT应用）。需注意：仅工作于反向偏置状态，不可正向导通；设计时应避免过压击穿（最大反向电压VRM = 16 V），并配合低噪声偏置电路以降低相位噪声。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2109LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 200 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 36.3pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV2109LT1OSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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