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- 型号： MMBV2107LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2107LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2107LT1价格参考。ON SemiconductorMMBV2107LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2107LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2107LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV2107LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低结电容（典型值约25 pF @ 4 V）、高Q值及良好电容可调性（Cj变化范围约12–30 pF，随反向电压2–20 V变化）。其主要应用场景包括： 1. 高频调谐电路：广泛用于VHF/UHF频段（如100 MHz–1 GHz）的压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）频率合成器中，实现电压控制的频率微调； 2. 射频前端模块：在手机、无线通信设备（如Wi-Fi 2.4/5 GHz、蓝牙、Zigbee）的天线调谐与阻抗匹配网络中，动态补偿天线因环境或握持导致的失谐； 3. 电子调谐滤波器：配合电感构成可调LC谐振回路，用于接收机前端频道选择或带宽优化； 4. 自动频率控制（AFC）系统：在FM收音机、无线麦克风等设备中稳定中心频率，抑制漂移。 该器件具备低串联电阻（Rs ≈ 1.5 Ω）、优良温度稳定性及高可靠性，适合空间受限、功耗敏感的便携式射频应用。需注意：仅工作于反向偏置状态，不可正向导通；设计时应避免超过最大反向电压（30 V）及结温（150℃）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT-23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2107LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 350 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 24.2pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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