Datasheet下载- 型号： MMBV105GLT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV105GLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV105GLT1价格参考。ON SemiconductorMMBV105GLT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV105GLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV105GLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV105GLT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的SOT-23封装硅变容二极管（Varactor Diode），典型结电容范围为约2.5–16 pF（在反向偏压1–28 V下），Q值较高，适用于高频调谐应用。其主要应用场景包括： 1. 电压控制振荡器（VCO）：作为频率调谐元件，通过调节反向偏压改变结电容，实现射频信号频率的精确、快速调节，广泛用于无线通信模块（如蓝牙、Zigbee、ISM频段收发器）中的本地振荡源。 2. 电子调谐滤波器与匹配网络：在射频前端中动态补偿天线阻抗或调整带通/带阻特性，支持多频段终端（如智能手机、物联网节点）的自适应调谐。 3. 锁相环（PLL）回路中的压控元件：配合鉴相器与分频器，构成闭环频率合成系统，提升频率稳定性和相位噪声性能。 4. 自动频率控制（AFC）电路：用于接收机中补偿本振漂移，确保信道中心频率对准，增强接收灵敏度与抗干扰能力。 该器件具备低串联电阻、良好C-V线性度及高可靠性，适合工作在100 MHz至2 GHz频段。因其小尺寸（SOT-23）、无铅兼容及符合AEC-Q200标准（部分版本），亦可用于汽车电子（如远程无钥匙进入RKE、TPMS接收模块）等严苛环境。注意需施加稳定反向偏压（不得正向导通），并避免过压击穿（最大反向电压28 V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV105GLT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 250 @ 3V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 2.8pF @ 25V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBV105GLT1OSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 6.5 |
| 电容比条件 | C3/C25 |
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