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产品简介:
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MMBTH10-4LT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型射频双极结型晶体管(RF BJT),采用SOT-23封装,具有高频特性(fₜ ≈ 650 MHz)、低噪声和快速开关能力。其典型应用场景包括: 1. 小信号射频放大:适用于VHF/UHF频段(如30–500 MHz)的低功率前置放大、天线接收信号放大,常见于无线遥控、无绳电话、短距离无线模块(如FSK/OOK接收前端)。 2. 高速开关与脉冲整形:因开关速度快(tₛ ≤ 3 ns)、延迟低,可用于数字电路中的高速开关、脉冲发生器、波形整形及逻辑电平转换电路。 3. 振荡与混频电路:可构建简单LC振荡器或作为本地振荡器(LO)缓冲级,亦用于低功耗、低成本的被动混频器或检波电路。 4. 消费电子与工业控制接口:在红外接收头、传感器信号调理、微控制器GPIO驱动扩展等对成本敏感、功耗要求不高(Ic ≤ 50 mA)的场合中作为通用高频开关或放大元件。 需注意:该器件为通用RF BJT,非功率放大器,不适用于高功率发射或宽带宽通信主链路;设计时应关注偏置稳定性、PCB高频布局及输入/输出匹配(典型50 Ω系统需外加匹配网络)。广泛用于对性能要求适中、强调性价比与封装小型化的便携式与嵌入式设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBTH10-4LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 4mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 800MHz |