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  • 型号: MMBTH10-4LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10-4LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10-4LT1价格参考。ON SemiconductorMMBTH10-4LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTH10-4LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTH10-4LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBTH10-4LT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型射频双极结型晶体管(RF BJT),采用SOT-23封装,具有高频特性(fₜ ≈ 650 MHz)、低噪声和快速开关能力。其典型应用场景包括:

1. 小信号射频放大:适用于VHF/UHF频段(如30–500 MHz)的低功率前置放大、天线接收信号放大,常见于无线遥控、无绳电话、短距离无线模块(如FSK/OOK接收前端)。

2. 高速开关与脉冲整形:因开关速度快(tₛ ≤ 3 ns)、延迟低,可用于数字电路中的高速开关、脉冲发生器、波形整形及逻辑电平转换电路。

3. 振荡与混频电路:可构建简单LC振荡器或作为本地振荡器(LO)缓冲级,亦用于低功耗、低成本的被动混频器或检波电路。

4. 消费电子与工业控制接口:在红外接收头、传感器信号调理、微控制器GPIO驱动扩展等对成本敏感、功耗要求不高(Ic ≤ 50 mA)的场合中作为通用高频开关或放大元件。

需注意:该器件为通用RF BJT,非功率放大器,不适用于高功率发射或宽带宽通信主链路;设计时应关注偏置稳定性、PCB高频布局及输入/输出匹配(典型50 Ω系统需外加匹配网络)。广泛用于对性能要求适中、强调性价比与封装小型化的便携式与嵌入式设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBTH10-4LT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 4mA,10V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

频率-跃迁

800MHz

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