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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA20LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA20LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA20LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTA20LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA20LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA20LT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的NPN型通用小信号双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23封装,具有高电流增益(hFE典型值100–300)、最大集电极电流IC=500mA、最大集射极电压VCEO=40V,适合中低功率放大与开关应用。 其典型应用场景包括: ✅ 小信号放大电路:如音频前置放大、传感器信号调理(如温度、光敏电阻输出的微弱信号放大); ✅ 数字逻辑电平转换与驱动:在MCU或FPGA输出端驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极; ✅ 电源管理中的开关控制:用于DC-DC转换器的使能控制、LDO使能/关断、负载开关等; ✅ 工业与消费类电子:打印机、家电(如洗衣机控制板)、安防设备、智能电表中的信号隔离与接口缓冲; ✅ 替代传统分立器件设计:因SOT-23小型化封装,适用于空间受限的便携设备(如蓝牙模块、无线传感器节点)。 该器件具备良好的热稳定性、宽工作温度范围(−55°C 至 +150°C)及AEC-Q101认证(部分批次),亦可用于汽车电子非安全关键系统(如车身控制模块、灯光控制)。需注意其为通用型BJT,不适用于高频射频或大功率场景(建议频率<100MHz,连续功耗<350mW)。设计时应合理设置基极限流电阻,确保工作在线性区或饱和区,避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN GP 40V 100MA SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MMBTA20LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 125MHz |