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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBT6427LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6427LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6427LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBT6427LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT6427LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6427LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT6427LT3G 是安森美（onsemi）推出的 NPN 型通用双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 300@10mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V@10mA）及良好频率响应（fT ≈ 250MHz），适用于中低功率开关与放大场景。典型应用场景包括： 1. 小信号开关电路：如微控制器 GPIO 驱动 LED、继电器、小型电磁阀或逻辑电平转换，其快速开关特性（tON/tOFF 约数十纳秒）和低驱动电流需求（IB ≈ 0.1–1mA）适配 MCU 直接控制； 2. 音频/传感器信号预放大：在便携式设备（如耳机放大器前端、温湿度传感器信号调理电路）中作共射放大级，提供稳定增益与低噪声性能； 3. 电源管理辅助功能：用于 LDO 或 DC-DC 转换器中的使能控制、过流检测或反馈环路补偿； 4. 消费电子与工业控制板卡：如智能家电的电机启停控制、IoT 模块的信号隔离与电平匹配等空间受限场合。 需注意：该器件最大集电极电流 IC = 500mA（脉冲），连续工作建议 ≤200mA；使用时应合理设计基极限流电阻，并考虑散热（SOT-23 功耗有限，PD ≤ 350mW）。不推荐用于大功率开关或高频射频主通路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBT6427LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 500µA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20000 @ 100mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | - |
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