Datasheet下载- 型号： MMBT5401-G
- 制造商： COMCHIP TECHNOLOGY
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5401-G由COMCHIP TECHNOLOGY设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5401-G价格参考。COMCHIP TECHNOLOGYMMBT5401-G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT5401-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5401-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Comchip Technology生产的MMBT5401-G是一种NPN型双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它广泛应用于各种电子电路中，主要用作开关或放大元件。以下是其典型应用场景： 1. 信号放大： MMBT5401-G可用于音频或其他低频信号的放大电路中，例如麦克风前置放大器、耳机放大器等。由于其良好的增益特性（hFE值较高），能够有效提升输入信号的幅度。 2. 开关电路： 在数字电路或控制电路中，该晶体管可以用作开关元件。例如，在继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景中，通过控制基极电流实现对负载的通断控制。 3. 电源管理： 作为功率调节的一部分，MMBT5401-G可以参与稳压电路的设计，如简单的线性稳压器或过流保护电路。 4. 脉冲调制与解调： 在通信领域，该晶体管可用来处理脉宽调制（PWM）信号的生成和解码，适用于一些基础的数据传输或照明亮度调节系统。 5. 传感器接口： 结合各类传感器使用时，MMBT5401-G能将微弱的传感器输出信号进行初步放大，以便后续处理单元进一步分析。 6. 振荡器与定时器： 利用其负反馈特性和非线性行为，可以构建多谐振荡器或多级延迟电路，用于产生周期性波形或时间间隔控制。 综上所述，MMBT5401-G凭借其稳定的性能和适中的参数范围，在消费电子产品、工业设备以及实验教学等领域均有广泛应用。选择具体应用时需根据实际需求考虑工作电压、电流及频率等因素，并确保晶体管的安全运行条件得到满足。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 150V 0.6A SOT-23射频双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Comchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Comchip Technology MMBT5401-G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5401-G |
| RoHS指令信息 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Comchip Technology |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | Bipolar Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 系列 | MMBT5401 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极连续电流 | - 600 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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