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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBT4401T-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401T-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401T-7价格参考。Diodes Inc.MMBT4401T-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT4401T-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT4401T-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4401T-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款通用 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-523 小型表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 100–300）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.2V @ IC=10mA）及良好开关与放大特性。其典型应用场景包括： 1. 小信号开关应用：广泛用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的 LED 驱动、蜂鸣器控制、电源通断管理等低功耗开关电路； 2. 信号放大电路：适用于音频前置放大、传感器信号调理（如温度、光敏电阻输出的微弱信号放大）、逻辑电平转换等中低频（fT ≈ 250MHz）模拟前端； 3. 数字接口缓冲/电平移位：在 MCU 或 FPGA 的 I/O 扩展中，实现 3.3V/5V 系统间信号隔离与驱动增强； 4. 负载开关与继电器驱动：配合限流电阻驱动小型继电器、微型马达或光电耦合器输入侧； 5. 消费电子与工业控制板：因体积小、成本低、可靠性高，常用于电源管理模块、电池供电设备的保护电路及状态指示控制。 注意：该器件最大集电极电流 IC=200mA（连续），不适用于大功率或高频射频场景；设计时需合理设置基极限流电阻，确保工作在安全区（SOA），并注意 SOT-523 封装的散热限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 40V SOT-523 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBT4401T-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | MMBT4401T7 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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