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  • 型号: MMBT4124
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4124由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4124价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT4124封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT4124参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4124 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT4124 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于小信号晶体管类别。它广泛应用于各种电子电路中,主要作为开关或放大器件使用。以下是 MMBT4124 的一些典型应用场景:

1. 开关应用:
   - MMBT4124 常用于数字电路中的开关功能,例如驱动继电器、LED 或小型电机。由于其低饱和电压和快速开关特性,适合需要高效切换的场景。
   - 在电源管理电路中,可以用作简单的负载开关。

2. 信号放大:
   - 该晶体管适用于音频信号放大器中的前置级放大,能够处理小信号并提供足够的增益。
   - 在无线通信设备中,可用于低噪声放大(LNA)或其他小信号处理模块。

3. 脉宽调制 (PWM) 控制:
   - 在 PWM 驱动电路中,MMBT4124 可以用来控制直流电机的速度或调节 LED 的亮度。

4. 保护电路:
   - 在过流保护或短路保护电路中,MMBT4124 可用作检测元件或触发元件。

5. 振荡器和定时电路:
   - 它可以用于构建多谐振荡器或单稳态触发器等时序电路。

6. 射频(RF)应用:
   - 尽管 MMBT4124 主要设计为小信号晶体管,但在某些低功率射频电路中,也可以用作混频器或缓冲器。

需要注意的是,MMBT4124 的最大集电极电流为 0.6 A,功率耗散为 625 mW,因此不适合高功率或大电流的应用场合。在实际使用中,应根据具体电路要求选择合适的偏置条件和散热措施,以确保晶体管工作在安全区域内。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 25V 200MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT4124-

数据手册

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产品型号

MMBT4124

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBT4124FS
MMBT4124FS-ND
MMBT4124FSTR

功率-最大值

350mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

360

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

系列

MMBT4124

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

0.2 A

零件号别名

MMBT4124_NL

频率-跃迁

300MHz

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