Datasheet下载- 型号： MMBT3906T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3906T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3906T价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT3906T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT3906T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT3906T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT3906T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），具体为 PNP 型硅三极管。该型号广泛应用于多种电子电路中，以下是一些常见的应用场景： 1. 放大电路：MMBT3906T 可用作音频信号放大器中的前置放大级或中间放大级，适用于低功率音频设备，如耳机放大器、麦克风前置放大器等。 2. 开关电路：由于其良好的开关特性，该晶体管可用于各种数字逻辑电路和电源管理应用，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制。 3. 电流镜电路：在需要精确电流源的电路中，MMBT3906T 可以配置为电流镜，用于稳定负载电流或作为参考电流源。 4. 电平转换：在不同电压电平之间进行信号转换时，该晶体管可以用作电平转换器，将低电压信号转换为高电压信号，或者反之。 5. 保护电路：在过流保护或过压保护电路中，MMBT3906T 可以检测异常情况并触发保护机制，例如切断电源或发出警告信号。 6. 振荡器和定时电路：该晶体管可以用于构建多谐振荡器、单稳态触发器和其他定时电路，适用于定时器、脉冲发生器等应用。 7. 射频（RF）应用：虽然 MMBT3906T 主要用于低频应用，但在某些情况下也可以用于低功率射频信号处理，例如调制解调器或无线通信模块中的简单 RF 放大。 8. 传感器接口：在传感器信号调理电路中，该晶体管可以用于放大微弱信号或将传感器输出转换为适合后续处理的电平。 总的来说，MMBT3906T 以其低成本、高可靠性和广泛的可用性，成为许多低功耗、小信号应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 40V 200MA SOT-523F两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT3906T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT3906T |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-523F |
| 其它名称 | MMBT3906TTR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBT3906 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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