Datasheet下载- 型号： MMBD770T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD770T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD770T1G价格参考。ON SemiconductorMMBD770T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD770T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD770T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD770T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款射频二极管，属于PIN二极管类型。该器件广泛应用于射频和微波电路中，主要用于信号控制、隔离、衰减及调制等功能。 其典型应用场景包括： 1. 射频开关电路：用于通信设备中的天线切换、信号路径选择等，具有快速响应和低插入损耗的特点。 2. 功率控制与衰减器：在无线基站、射频测试仪器中用于调节射频信号强度，实现精确的功率控制。 3. 混频器与检波电路：作为混频元件或检波器使用，适用于射频接收前端，进行频率变换或信号解调。 4. 射频保护电路：用于保护敏感射频元件免受高功率信号冲击，如在雷达系统或发射机中作隔离保护。 5. 工业与通信基础设施：常见于蜂窝通信系统（如4G/5G基站）、广播设备、测试测量仪器以及工业控制系统中。 MMBD770T1G采用SOT-23封装，体积小、性能稳定，适合高频应用，工作频率可达数GHz级别，具备良好的射频特性和可靠性，是射频设计中常用的通用型PIN二极管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SOT-323肖特基二极管与整流器 70V 120mW Single |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MMBD770T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBD770T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 20V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 单 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MMBD770T1GOSDKR |
| 功率耗散（最大值） | 120mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值反向电压 | 70 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.01 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 70V |
| 电流-最大值 | 200mA |
| 系列 | MMBD770 |
| 配置 | Single |
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