【未分类_MMBD354LT1G】封装/厂家_MMBD354LT1G中文资料_价格

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型号： MMBD354LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD354LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD354LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBD354LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBD354LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD354LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBD354LT1G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款射频二极管，属于二极管 - 射频分类。该型号主要应用于高频和射频电路中，具有低电容、快速恢复时间和高频率响应的特点。以下是其典型应用场景：

1. 射频开关：  
   MMBD354LT1G 可用于射频信号的切换，例如在无线通信设备中实现天线与发射/接收电路之间的切换。它能够高效处理高频信号，并保持较低的插入损耗。

2. 混频器和调制器：  
   在射频混频器或调制器电路中，该二极管可以作为非线性元件，用于将输入信号转换为所需的输出频率。其快速响应特性使其适合高频信号处理。

3. 检波器：  
   该二极管可用于射频信号的检波，即将高频信号转换为直流或低频信号。这种应用常见于无线通信系统中的信号强度检测。

4. 倍频器：  
   MMBD354LT1G 可用于倍频器电路，通过非线性特性生成更高频率的谐波信号。这在需要扩展频率范围的通信设备中非常有用。

5. 保护电路：  
   在射频前端模块中，该二极管可以用作保护元件，防止过压或静电对敏感电路造成损害。它的快速恢复特性有助于及时响应瞬态电压变化。

6. 移动通信设备：  
   在手机、平板电脑和其他便携式通信设备中，MMBD354LT1G 可用于天线调谐、信号切换和功率放大器保护等场景。

7. 无线传感器网络：  
   该二极管适用于低功耗射频模块，如 Zigbee、LoRa 或蓝牙设备中的信号处理和传输。

8. 雷达和导航系统：  
   在需要高性能射频组件的雷达和导航系统中，MMBD354LT1G 可用于信号处理和调制解调功能。

总之，MMBD354LT1G 凭借其优异的高频性能和可靠性，广泛应用于各种射频和无线通信领域，是现代电子设备中不可或缺的关键元件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23整流器 7V 225mW Dual Common Cathode
产品分类	RF 二极管分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MMBD354LT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBD354LT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1pF @ 0V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 1 对共阴极
产品	Standard Recovery Rectifiers
产品种类	整流器
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBD354LT1GOSCT
功率耗散（最大值）	225mW
包装	剪切带（CT）
反向电压	7 V
反向电流IR	10 uA
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向电压下降	0.6 V at 0.01 A
电压-峰值反向（最大值）	7V
电流-最大值	-
系列	MMBD354L
配置	Dual

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