【未分类_MMAD1106E3/TR13】封装/厂家_MMAD1106E3/TR13中文资料_价格

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型号： MMAD1106E3/TR13
制造商： MICRO-SEMI
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMAD1106E3/TR13由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMAD1106E3/TR13价格参考。MICRO-SEMIMMAD1106E3/TR13封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMAD1106E3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMAD1106E3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMAD1106E3/TR13 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单向 TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用 SOD-323 封装，典型击穿电压约 11.5 V，峰值脉冲功率 200 W（8/20 μs），响应时间小于 1 ns。其主要应用场景包括：

- 高速数据接口保护：常用于 USB 2.0、RS-485、CAN 总线、LVDS 等低压信号线路，防止 ESD（静电放电，如 ±15 kV 接触放电）、EFT（电快速瞬变）及雷击感应浪涌造成的损坏。

- 便携式电子设备：适用于智能手机、平板电脑、POS 终端等对空间和功耗敏感的设备，提供紧凑型 ESD 防护（IEC 61000-4-2 Level 4 兼容）。

- 工业与通信模块：在 PLC I/O 端口、传感器接口、基站射频前端偏置电路中，为敏感模拟/数字芯片（如 MCU、PHY、LDO）提供二级过压钳位保护。

- 汽车电子（非安全关键系统）：可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的低速信号线（如 LIN 总线），满足 AEC-Q200 基础可靠性要求（需确认具体批次认证状态）。

该器件具备低钳位电压（约 17 V @ 1 A）、低漏电流（<1 μA @ 9.5 V）和高可靠性，适合与后级 IC 协同实现分级防护。注意：设计时需配合 PCB 布局优化（如短走线、就近接地），并避免与大电容并联导致响应延迟。

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