Datasheet下载- 型号： MMA20312BT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMA20312BT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMA20312BT1价格参考。Freescale SemiconductorMMA20312BT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMA20312BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMA20312BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的射频放大器 MMA20312BT1 是一款高性能、宽带 GaAs pHEMT 功率放大器，工作频率范围为 1.8–2.7 GHz，典型增益约 18 dB，输出功率达 +31 dBm（1.25 W），适用于中等功率射频发射链路。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基础设施：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级驱动级或小型蜂窝（Small Cell）、毫微微基站（Femtocell）及分布式天线系统（DAS）中的功率放大模块； - 无线回传设备：在点对点（PtP）或点对多点（PtMP）微波回传系统中，作为中功率发射链路的驱动或输出级，支持高线性度调制（如 256-QAM）； - 工业与专用无线系统：适用于公共安全通信（如 TETRA、P25）、专网宽带无线系统（如 LTE-U/CBRS）、无人机图传链路及智能交通（V2X）终端射频前端； - 测试与测量设备：作为信号源扩展模块或校准用激励放大器，满足实验室及产线对稳定增益和低失真性能的需求。 该器件采用 SOT-89-5 封装，集成内置偏置电路与ESD保护，简化设计并提升可靠性，适合紧凑型、高能效射频系统应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID半导体 |
| 描述 | IC AMP HBT INGAP/GAAS 12-QFN射频放大器 31dBm GaAs Amp QFN3X3-12 |
| 产品分类 | RF 放大器RF集成电路 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 射频放大器,Freescale Semiconductor MMA20312BT1- |
| 数据手册 | |
| P1dB | 28.2dBm |
| 产品型号 | MMA20312BT1 |
| RF类型 | LTE，PCS，TD-SCDMA，UMTS |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频放大器 |
| 供应商器件封装 | 12-QFN（3x3） |
| 其它名称 | MMA20312BT1CT |
| 功率增益类型 | 26.4 dB |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 22 mg |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | 3.3dB |
| 增益 | 27.2dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | QFN-EP-12 |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作频率 | 2140 MHz |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | GaAs InGaP |
| 放大器类型 | HBT Amplifier |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 测试频率 | 2.14GHz |
| 漏极连续电流 | 70 mA |
| 漏源电压VDS | 6 V |
| 电压-电源 | 5V |
| 电流-电源 | 70mA |
| 电源电流 | 70 mA |
| 类型 | GaAs InGaP HBT |
| 系列 | MMA20312B |
| 输入返回损失 | - 10.9 dB |
| 输出截获点 | 44.5 dBm |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 频率 | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| 频率范围 | 1880 MHz to 2140 MHz |
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