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产品简介:
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MM5Z9V1T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的微型表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为9.1 V(容差通常±5%),功率耗散约200 mW,采用SOD-523(SC-79)超小型封装。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定9.1 V基准电压,适用于电池供电设备或空间受限设计。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,钳位后级电路输入电压,防止瞬态高压(如ESD或浪涌)损坏敏感器件,常见于USB接口、通信端口或电源输入端。 3. 信号电平箝位:在模拟/数字信号链中限制信号摆幅(如将±12 V信号箝位至0–9.1 V范围),保护MCU GPIO或运放输入级。 4. 电源监控与反馈:用于简易LDO或开关电源的反馈分压网络中,辅助实现精确输出电压调节(如配合电阻分压设定9.1 V输出)。 5. 消费电子与便携设备:凭借0.6 mm × 1.0 mm超小尺寸和低泄漏电流(典型IR < 1 µA),广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对PCB面积和功耗要求严苛的产品中。 注意:该器件非高精度基准源,不适用于需ppm级温漂或长期稳定性的精密仪器;实际应用中需校核功耗(P = (Vin−9.1)×Iz)及温度降额,确保结温安全。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MM5Z9V1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
| 其它名称 | MM5Z9V1T1OS |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |