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产品简介:
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MM3Z9V1T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为9.1 V(容差通常±5%),功率额定值为200 mW,采用SOD-323超小型封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与参考:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定、低成本的9.1 V基准电压。 2. 过压保护(OVP):常与TVS或限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、通信接口芯片)免受瞬态过压(如ESD、浪涌)损害,尤其适用于电源输入端或I/O引脚钳位。 3. 电源稳压与箝位:在小电流、非精密场合(如待机电源、LED驱动反馈环路)中作简易稳压或电压箝位元件,限制节点电压不超过9.1 V。 4. 电平转换与逻辑接口保护:在混合电压系统中(如3.3 V/5 V MCU与9 V外设通信),用于限幅或电平适配,防止高电平信号损坏低压器件。 5. 消费电子与便携设备:因体积微小(SOD-323)、功耗低,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等对空间和功耗敏感的产品中,实现紧凑型保护或基准功能。 需注意:该器件适用于≤20 mA的稳压电流范围,不适用于大电流或高精度稳压场景;设计时应校核功耗(P = Vz × Iz)并留足裕量,避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MM3Z9V1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |