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  • 型号: MKE11R600DCGFC
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MKE11R600DCGFC由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MKE11R600DCGFC价格参考。IXYSMKE11R600DCGFC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MKE11R600DCGFC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MKE11R600DCGFC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

2 nF

描述

MOSFET N-CH 600V 15A I4-PACMOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS MKE11R600DCGFCCoolMOS™

数据手册

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产品型号

MKE11R600DCGFC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-漏源导通电阻

165 mOhns

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

6 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 790µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 12A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

-

包装

管件

单位重量

6.500 g

商标

IXYS

商标名

COOLMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

i4-Pac™-5

封装/箱体

ISOPLUS i4-5

工厂包装数量

25

技术

SiC

晶体管极性

N-Channel

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

MKE11R600DCG

配置

Single

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