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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5730G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5730G价格参考。ON SemiconductorMJE5730G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE5730G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE5730G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE5730G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于中高功率晶体管,常用于功率放大和开关应用。该器件采用TO-225封装,具有较高的耐压和电流承载能力,最大集电极-发射极电压(VCEO)可达100V,最大集电极电流可达2A,适合在中等功率条件下稳定工作。 MJE5730G的典型应用场景包括:音频功率放大器中的驱动级或输出级,用于家用音响、公共广播系统等;各类电源电路中的线性稳压器或开关调节器,实现电压调节与电流控制;工业控制设备中的继电器驱动、电机控制和固态继电器等开关电路;此外,也广泛应用于消费类电子设备、照明控制以及电源管理模块中。 由于其良好的热稳定性和可靠性,MJE5730G在需要较高耐用性和环境适应性的工业与民用电子产品中表现出色。同时,该型号为符合RoHS标准的绿色环保器件(后缀“G”表示无铅),适用于现代环保要求较高的产品设计。总体而言,MJE5730G是一款性能稳定、应用广泛的中功率BJT,特别适合对可靠性与成本平衡有要求的模拟和功率切换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 1A 300V TO220AB两极晶体管 - BJT 1A 300V 40W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE5730G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE5730G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistors Bipolar- General Purpose |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE5730GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJE5730 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 10MHz |