Datasheet下载- 型号： MJE521G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE521G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE521G价格参考。ON SemiconductorMJE521G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE521G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE521G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE521G是ON Semiconductor（安森美）推出的NPN型中功率双极结型晶体管（BJT），采用TO-220封装，具有高电压、高电流能力（VCEO=300V，IC=2A，PC=50W），并具备良好的开关与线性放大特性。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）中的驱动级或辅助开关：适用于中小功率AC-DC适配器、LED驱动电源等，用作PWM信号的功率开关或隔离驱动级。 2. 电机控制电路：常用于直流有刷电机的H桥驱动（作为上/下半桥的低频开关）、风扇调速、继电器驱动等中等功率负载控制。 3. 音频与工业线性放大：在小信号预放后，可作为音频功放输出级（如AB类放大器）或工业传感器信号调理电路中的功率放大单元（需注意散热设计）。 4. 高压稳压与电子负载：配合齐纳二极管或误差放大器，构成线性稳压器的调整管；亦可用于简易可编程电子负载模块。 5. 替代与兼容应用：因引脚与电气参数接近MJE13003/13005等系列，常被用于消费类电源、充电器、镇流器等成熟设计中作为可靠升级或替代型号。 需注意：MJE521G为非逻辑电平驱动器件，基极需足够驱动电流（典型IB≈50–100mA饱和时），建议配合达林顿驱动或合适阻值的基极限流电阻；实际使用须加装散热片以保障热稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS POWER NPN 4A 40V TO225AA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJE521G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 1A，1V |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | MJE521GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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