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  • 型号: MJE3439G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MJE3439G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE3439G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE3439G价格参考。ON SemiconductorMJE3439G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 350V 300mA 15MHz 15W 通孔 TO-225AA。您可以下载MJE3439G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE3439G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE3439G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、高功率的达林顿对管结构器件,常用于需要大电流放大和高耐压能力的场合。其主要应用场景包括:

1. 功率放大电路:适用于音频功率放大器中作为输出级,尤其在高保真音响、公共广播系统等设备中,因其具备良好的线性放大特性和较高的电流增益。

2. 电源管理与稳压器:常用于线性稳压电源或开关电源中的调整元件,能够承受较高的电压和电流,适合工业电源、UPS不间断电源等设备。

3. 电机驱动电路:在直流电机控制、继电器驱动或电磁阀控制中,MJE3439G可作为开关或缓冲驱动元件,提供足够的驱动电流并具备较强的负载能力。

4. 工业控制与自动化设备:广泛应用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业继电器模块、固态继电器等控制系统中,用于信号放大或执行机构驱动。

5. 高电压开关应用:由于其最高集电极-发射极电压可达400V,适合高压环境下的开关操作,如高压灯驱动、电焊设备或高压电源模块。

该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适合高功率工作环境。MJE3439G通常与互补型PNP晶体管(如MJE3540G)配对使用,构成推挽输出结构,提升整体驱动效率和响应速度。综合来看,MJE3439G是一款适用于高电压、大电流场景的可靠功率晶体管,广泛服务于工业、音频与电源领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS POWER NPN .3A 350V TO225AA两极晶体管 - BJT 0.3A 350V 15W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE3439G-

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产品型号

MJE3439G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 4mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 20mA,10V

产品目录页面

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产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

MJE3439GOS

功率-最大值

15W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

15 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

15 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

20µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

MJE3439

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

450 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

0.3 A

频率-跃迁

15MHz

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