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- 型号： MJE18204
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE18204由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE18204价格参考。ON SemiconductorMJE18204封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE18204参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE18204 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE18204 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型高功率、高电压双极结型晶体管（BJT），主要面向工业与电源应用。其典型参数包括：集电极-发射极击穿电压VCEO高达250 V，连续集电极电流IC达15 A，功率耗散PD为150 W（带足够散热），具备良好的开关与线性放大特性。 该器件常用于中高功率开关场景，如： - 开关电源（SMPS）中的主开关管或缓冲/钳位电路； - 电机驱动电路（如直流有刷电机的H桥下臂或单向驱动）； - 工业控制中的继电器驱动、电磁阀驱动及PLC输出级； - 音频功率放大器的输出级（尤其在要求高耐压、大电流的AB类线性功放中）； - 不间断电源（UPS）、逆变器及电焊设备中的功率转换级。 因其高可靠性和宽安全工作区（SOA），MJE18204适用于存在感性负载、电压尖峰或瞬态过载的严苛环境。需注意：实际应用中必须配合合适散热器，并设计合理的基极驱动（如加装加速电容或达林顿驱动）以确保快速开关、避免二次击穿。不推荐用于高频（>100 kHz）开关场合（此时建议选用MOSFET或RF优化型器件）。
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