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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE15035由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE15035价格参考。ON SemiconductorMJE15035封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE15035参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE15035 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE15035 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频功率晶体管。该器件常用于需要较高频率响应和中等功率处理能力的电路设计中。 主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:MJE15035具备良好的高频特性,适合用于射频信号放大,常见于通信设备、无线发射模块等。 2. 音频功率放大器:在音响系统或功放设备中,作为推动级或输出级使用,提供较高的电流增益和稳定性。 3. 开关电源与DC-DC转换器:因其较快的开关特性和较强的电流承载能力,可用于电源转换电路中的开关元件。 4. 工业控制电路:如电机驱动、继电器控制等场合,作为功率开关使用。 5. 测试仪器与测量设备:用于信号发生器、放大模块等精密电子设备中。 该晶体管采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于多种通用和高性能电子系统。在设计中需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,以确保稳定可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 4A 350V TO220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MJE15035 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 2A,5V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE15035OS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 30MHz |