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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD42CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD42CT4G价格参考。ON SemiconductorMJD42CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD42CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD42CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD42CT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种NPN型功率晶体管,广泛应用于需要高电流驱动和良好开关性能的场景中。以下是 MJD42CT4G 的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):MJD42CT4G 可用于开关电源中的功率级控制,作为开关元件来调节电压和电流。 - 线性稳压器:在需要稳定输出电压的应用中,该晶体管可以用作放大或调节元件。 2. 电机驱动 - 直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,实现电机的启动、停止、调速及转向控制。 - 继电器驱动:通过晶体管的开关特性,可以用来控制继电器的吸合与释放。 3. 音频放大 - 在低频音频放大电路中,MJD42CT4G 可用作功率放大级,提供足够的电流驱动扬声器或其他音频负载。 4. 负载开关 - 用于控制高电流负载的通断,例如 LED 灯组、加热元件等,能够承受较大的电流冲击。 5. 信号放大 - 在一些工业或消费电子设备中,该晶体管可以用于信号放大的场景,例如传感器信号的放大处理。 6. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中,MJD42CT4G 可以作为关键的开关元件,及时切断异常电流路径,保护系统其他部分。 特点总结 MJD42CT4G 具有较高的集电极-发射极击穿电压(Vceo)和较大的集电极电流(Ic),适合在高压、大电流环境下工作。同时,其封装形式(如 TO-220)便于散热设计,适用于各种功率应用场合。 需要注意的是,在实际应用中,应根据具体电路需求选择合适的偏置电阻、散热器和其他外围元件,以确保晶体管的安全可靠运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PWR PNP 6A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD42CT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD42CT4G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 600mA,6A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 3A,4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | MJD42CT4GOSCT |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 20 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
系列 | MJD42C |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
集电极连续电流 | 6 A |
频率-跃迁 | 3MHz |