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  • 型号: MJD42CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD42CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD42CT4G价格参考。ON SemiconductorMJD42CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD42CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD42CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJD42CT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种NPN型功率晶体管,广泛应用于需要高电流驱动和良好开关性能的场景中。以下是 MJD42CT4G 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):MJD42CT4G 可用于开关电源中的功率级控制,作为开关元件来调节电压和电流。
   - 线性稳压器:在需要稳定输出电压的应用中,该晶体管可以用作放大或调节元件。

 2. 电机驱动
   - 直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,实现电机的启动、停止、调速及转向控制。
   - 继电器驱动:通过晶体管的开关特性,可以用来控制继电器的吸合与释放。

 3. 音频放大
   - 在低频音频放大电路中,MJD42CT4G 可用作功率放大级,提供足够的电流驱动扬声器或其他音频负载。

 4. 负载开关
   - 用于控制高电流负载的通断,例如 LED 灯组、加热元件等,能够承受较大的电流冲击。

 5. 信号放大
   - 在一些工业或消费电子设备中,该晶体管可以用于信号放大的场景,例如传感器信号的放大处理。

 6. 保护电路
   - 在过流保护或短路保护电路中,MJD42CT4G 可以作为关键的开关元件,及时切断异常电流路径,保护系统其他部分。

 特点总结
MJD42CT4G 具有较高的集电极-发射极击穿电压(Vceo)和较大的集电极电流(Ic),适合在高压、大电流环境下工作。同时,其封装形式(如 TO-220)便于散热设计,适用于各种功率应用场合。

需要注意的是,在实际应用中,应根据具体电路需求选择合适的偏置电阻、散热器和其他外围元件,以确保晶体管的安全可靠运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR PNP 6A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD42CT4G-

数据手册

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产品型号

MJD42CT4G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 3A,4V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

MJD42CT4GOSCT

功率-最大值

1.75W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (DPAK)

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

20 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

MJD42C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

1.5 V

集电极连续电流

6 A

频率-跃迁

3MHz

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