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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD2955-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD2955-1G价格参考。ON SemiconductorMJD2955-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD2955-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD2955-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD2955-1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的PNP型中功率双极结型晶体管(BJT),采用TO-220AB封装,具有高电流(IC = −10 A)、高电压(VCEO = −70 V)、高功耗(PD = 30 W)及良好热稳定性等特点。其典型应用场景包括: 1. 线性稳压电源:作为调整管(Pass Transistor),配合控制IC(如LM317、TL431等)构成大电流负压或正压稳压电路,适用于工业电源、实验室电源等需稳定输出且负载电流达数安培的场合。 2. 电机驱动与继电器驱动:用于中小功率直流电机(如12–24 V、≤5 A)的反向驱动或H桥低边开关;亦可驱动电磁继电器、螺线管等感性负载,配合续流二极管实现可靠关断。 3. 音频功率放大器:在AB类或B类互补对称功放输出级中,与NPN型MJD3055配对使用,构成推挽输出级,适用于低频/中功率音频应用(如小型功放模块、音响辅助放大器)。 4. 开关电源辅助电路:在SMPS中用作待机电源的开关管、过流保护检测开关或基准电压调节开关等。 5. 工业控制接口:作为电平转换或电流放大器件,驱动PLC输出模块、LED阵列或传感器负载。 注意:实际应用中需合理设计基极驱动(推荐IB ≥ IC/10以确保饱和导通)、加装散热器,并注意反向击穿与二次击穿限制。不建议用于高频开关(f > 100 kHz)场景,因其fT约1 MHz,开关速度有限。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MJD2955-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 8V @ 3.3A,10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 4A,4V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
| 频率-跃迁 | 2MHz |