Datasheet下载- 型号： MJD253-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD253-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD253-1G价格参考。ON SemiconductorMJD253-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD253-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD253-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD253-1G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件常用于需要较高电流和功率处理能力的电路中。 应用场景包括： 1. 电源开关电路：由于MJD253-1G具备较高的集电极电流和功率耗散能力，适合用于电源开关控制电路，例如直流电机驱动、继电器控制等。 2. 功率放大器：在音频放大器或射频功率放大器设计中，该晶体管可作为输出级，用于提升信号的驱动能力。 3. 工业控制设备：用于工业自动化系统中的执行器控制，如控制电机、电磁阀、加热元件等负载。 4. 汽车电子系统：适用于汽车中的电子控制模块，例如车灯控制、风扇电机驱动等，因其具备良好的稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、电源适配器等设备中用于功率调节和开关控制。 该晶体管具有较高的电流增益和良好的热稳定性，适合中高功率应用场景，是设计工程师在功率控制和放大电路中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 4A 100V IPAK两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD253-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD253-1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 200mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | MJD253-1G-ND |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MJD253 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
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