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- 型号： MJD128T4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD128T4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD128T4价格参考。ON SemiconductorMJD128T4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD128T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD128T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD128T4（ON Semiconductor）是一款NPN型中功率达林顿晶体管，具有高电流增益（hFE典型值达1000）、连续集电极电流IC可达8A、VCEO额定电压为100V，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型应用场景包括： - 线性稳压与电源调整：常用于低压差（LDO）稳压器的调整管或串联调整元件，配合误差放大器实现稳定输出； - 电机驱动与继电器控制：适用于中小功率直流电机启停、正反转控制，以及驱动电磁继电器、电磁阀等感性负载； - 开关电源辅助电路：在AC-DC或DC-DC电源中用作PWM信号放大、光耦输出级驱动或过流保护关断开关； - 工业控制接口：作为PLC输出模块、传感器信号放大/电平转换或固态继电器（SSR）的输出级，实现微控制器（如MCU、DSP）对高电流负载的安全隔离驱动； - 音频与照明调光：在低频模拟调光电路（如可控硅触发电路前置驱动）或简易音频功放输出级（非Hi-Fi级）中提供电流放大。 需注意：该器件为达林顿结构，饱和压降较高（VCE(sat)约2–3V），功耗较大，设计时须配合适当散热；不适用于高频开关（fT仅约3MHz）或精密模拟放大场景。典型工作温度范围为–65°C至+150°C，具备一定工业级可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD128T4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 5mA |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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