Datasheet下载- 型号： MJ14001G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJ14001G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJ14001G价格参考。ON SemiconductorMJ14001G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJ14001G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJ14001G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJ14001G 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型高功率、高电压双极结型晶体管（BJT），主要面向工业与电源管理领域的高可靠性应用。其典型应用场景包括： - 线性稳压器与串联调整管：凭借其高VCEO（120 V）、高IC（15 A）和高功率耗散能力（150 W，带合适散热器），常用于大电流、低压差线性稳压电路中作为主调整元件； - 音频功率放大器输出级：适用于AB类或A类音频功放的输出级，提供低失真、高电流驱动能力，常见于专业音响、广播设备等对热稳定性和SOA（安全工作区）要求严苛的场合； - 开关电源中的辅助开关或保护电路：虽为BJT（非首选开关器件），但在低频、高浪涌电流场景（如软启动、过流关断、继电器驱动）中仍具优势； - 电机控制与工业驱动：用于中小功率直流电机的H桥驱动、电磁阀/螺线管驱动及PLC输出模块，可承受感性负载反向电动势； - 焊接设备、电镀电源等高电流工业电源：得益于宽安全工作区（SOA）和优异的二次击穿耐受能力，适合持续大电流、高脉冲应力工况。 需注意：该器件为通孔封装（TO-3），须配合适当散热设计；其增益（hFE）随电流变化较大，设计时应考虑基极驱动裕量。不推荐用于高频开关（>100 kHz）场景，此时建议选用MOSFET或专用开关器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 60A 60V TO-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJ14001G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 12A，60A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 50A，3V |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 托盘 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-204AE |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 频率-跃迁 | - |
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