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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MII100-12A3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MII100-12A3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MII100-12A3价格参考。IXYSMII100-12A3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MII100-12A3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MII100-12A3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA分立半导体模块 IGBT MODULE 1200V, 100A |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS MII100-12A3- |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MII100-12A3 |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 5.5nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，75A |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | Y4-M5 |
| 功率-最大值 | 560W |
| 反向电压 | 1.2 kV |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | Y4-M5 |
| 封装/箱体 | Y4 |
| 工作温度 | - 40 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 6 |
| 标准包装 | 6 |
| 正向电压下降 | 2.2 V |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 135A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 5mA |
| 类型 | IGBT Modules |
| 系列 | MII100 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | Dual |
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