图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MGY40N60由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGY40N60价格参考。ON SemiconductorMGY40N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGY40N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGY40N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGY40N60 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高压、高速IGBT单管(非双极性晶体管BJT,需特别澄清),而非传统BJT。该器件实际为600V、40A的场截止型IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor),采用TO-247封装,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=40A)、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管。 其典型应用场景包括: ✅ 工业变频器与伺服驱动器:用于电机控制逆变桥臂,实现高效PWM调速; ✅ 感应加热电源:在高频(20–100 kHz)谐振电路中作为主开关,兼顾效率与热稳定性; ✅ 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:承担DC/AC能量转换,支持高功率密度设计; ✅ 电磁炉与大功率开关电源:满足高电压阻断(600V)与峰值电流耐受需求。 ⚠️ 注意:尽管常被误归类为“BJT”,IGBT是MOSFET与BJT复合结构,兼具MOS输入高阻抗与BJT输出低饱和压降优势,但不属于纯双极型晶体管(BJT)范畴。ON Semiconductor官方数据手册明确将其定义为IGBT。 综上,MGY40N60适用于中高频、中大功率(数百瓦至数kW级)的硬开关或软开关电力电子系统,强调可靠性、效率与热管理性能。选型时需配合合适驱动电路与散热设计。