图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MGW20N120由Motorola设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGW20N120价格参考。MotorolaMGW20N120封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGW20N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGW20N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGW20N120 是德国英飞凌(Infineon)推出的高电压、大电流IGBT单管(非模块),额定参数为1200V/20A,采用TO-247封装,内置续流二极管,具备低导通压降与良好开关特性。其典型应用场景包括: - 工业变频器与伺服驱动器:用于电机控制主回路,适配中功率(约5–10kW)三相逆变系统,支持PWM高频开关(典型≤20kHz),兼顾效率与热稳定性。 - 不间断电源(UPS):作为DC-AC逆变级核心开关器件,支撑1200V母线电压下的可靠换流,满足高可靠性与低失真输出需求。 - 感应加热电源:适用于中频(1–50kHz)谐振逆变电路,利用其快速关断能力与抗短路特性,保障加热设备稳定运行。 - 光伏并网逆变器:在组串式或中小集中式逆变器的升压+逆变两级结构中,承担高压直流侧切换或逆变桥臂开关任务(需配合优化驱动与吸收电路)。 - 电焊机与APF有源滤波装置:在高di/dt、高浪涌电流工况下,凭借坚固的短路耐受能力(典型tsc=10μs)及鲁棒封装,保障极端负载下的安全运行。 注:实际应用中需严格匹配驱动电压(推荐±15V)、栅极电阻(通常2.2–10Ω)、RC吸收网络及散热设计(建议结温≤125℃),并避免工作在二次击穿区。该器件不适用于超高频(>50kHz)或超低导通损耗优先的场合(此时SiC MOSFET更具优势)。