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- 型号： MGW12N120
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MGW12N120由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGW12N120价格参考。ON SemiconductorMGW12N120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MGW12N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGW12N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MGW12N120 是安森美（ON Semiconductor）推出的1200V、12A高压IGBT单管，采用TO-247封装，具备低导通压降（VCE(sat)典型值1.85V @ IC=12A）、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管，适用于中高功率、中等频率（通常≤20kHz）的电力电子变换场景。 典型应用场景包括： - 工业变频器与伺服驱动器：用于电机控制主回路，实现高效调速与能量回馈； - 感应加热电源：在电磁炉、金属热处理设备中作为逆变桥核心开关器件； - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：在DC/AC升压与逆变级承担功率转换任务； - 焊接设备（如IGBT逆变焊机）：满足大电流、高可靠性的脉冲输出需求； - 电能质量治理装置：如有源电力滤波器（APF）和动态无功补偿（SVG）中的主功率开关。 该器件兼顾导通损耗与开关损耗，适合对效率、温升和系统成本有综合要求的中功率应用（约1–5kW范围）。需配合合理驱动电路（如负压关断、足够驱动能力）及散热设计以确保长期稳定运行。
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